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元件参数资料
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参数目录41899
> APT26F120B2 MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
型号:
APT26F120B2
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Microsemi Power Products Group
描述:
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
APT26F120B2 PDF
产品目录绘图
T-MAX Front
标准包装
30
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
27A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
650 毫欧 @ 14A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
300nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
9670pF @ 25V
功率 - 最大
1135W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
供应商设备封装
T-MAX?
包装
管件
产品目录页面
1634 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
APT26F120B2MI
APT26F120B2MI-ND
查看APT26F120B2代理商
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